ГОСТ 24613.1-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения проходной емкости | |
|---|---|
| Cтатус: | Информация о статусе доступна в коммерческой версии NormaCS. Ограничение срока действия снято: Постановление Госстандарта № 1409 от 30.08.91 |
| Утвержден: | Госстандарт СССР, 23.02.1981 |
| Страниц в документе: | 3 |
| Текст и изображение документа: | Word PDF Сканкопия официального издания документа |
ГОСТ 18986.4-73 Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости
ГОСТ 24613.0-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Общие положения при измерении электрических параметров ГОСТ 24613.18-77 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения сопротивления изоляции ГОСТ 24613.19-77 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения коэффициента передачи по току ГОСТ 24613.6-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения напряжения изоляции ГОСТ 11630-84 Приборы полупроводниковые. Общие технические условия ГОСТ 24613.6-81 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения напряжения изоляции ГОСТ 24613.8-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции
Приказ 217 О закреплении документов национальной системы стандартизации за техническим комитетом по стандартизации "Изделия электронной техники, материалы и оборудование" (ТК 303)